【单选题】
45共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路___能力。
A. 放大差模抑制共模
B. 输入电阻高
C. 输出电阻低
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答案
A
解析
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相关试题
【单选题】
46差分放大电路是为了___而设置的。
A. 稳定Au
B. 放大信号
C. 抑制零点漂移
【单选题】
47分析运放的“虚短”是指是___。
A. U-≈U+
B. I-≈I+≈0
C. U0=Ui
D. U-≈U+≈0
【单选题】
48分析运放的“虚断”是指是___。
A. U-≈U+
B. I-≈I+≈0
C. I-≈I+
D. U-≈U+≈0
【单选题】
51两级放大电路,Au1=-40,Au2=-50,若输入电压U1=5mv,则输出电压Uo为 ___
A. -200mv;
B. -250mV;
C. 10V;
D. 100V
【单选题】
52通用型集成运放的输入级多采用___。
A. 共基接法
B. 共集接法
C. 共射接法
D. 差分接法
【单选题】
53理想运放的两个重要性质是___。
A. 虚短与虚地
B. 虚断与虚短
C. 断路与短路
【单选题】
54振荡器的输出信号最初由___而来的。
A. 基本放大器
B. 选频网络
C. 干扰或噪声信号
【单选题】
55产生正弦波自激震荡的稳定条件是___。
A. 引入正反馈
B. |AF|≥1
C. AF=1
【单选题】
56从结构上来看,正弦振荡电路是一个 ___ 。
A. 有输入信号的负反馈放大器;
B. 没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器;
C. 没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器。
【单选题】
57对频率稳定度要求较高的振荡器,要采用: ___ 。
A. LC振荡电路;
B. RC振荡电路;
C. RL振荡电路;
D. 石英晶体振荡电路。
【单选题】
58在甲类、乙类、甲乙类放大电路中,其导通角分别为___
A. 小于180 O、180 O、360O
B. 360O、180 O、小于180 O。
C. 180 O、小于180 O、360O
【单选题】
W78XX系和列W79XX系列引脚对应关系为 ___ 。
A. 一致;
B. 1脚与3脚对调,2脚不变;
C. 1、2对调。
【单选题】
60两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 ___ 。
A. β
B. β2
C. 2β
D. 1+β
【单选题】
1三极管的开关特性是___。
A. 截止相当于开关接通
B. 放大相当于开关接通
C. 饱和相当于开关接通
D. 截止相当于开关断开,饱和相当于开关接通
【单选题】
2数字集成门电路,目前生产最多应用最普遍的门电路是___
A. 与门
B. 或门
C. 非门
D. 与非门
【单选题】
3由一个三极管组成的基本门电路是___。
A. 与门
B. 非门
C. 或门 、D异或门
【单选题】
4在遥测系统中,需通过___把非电量的变化转变为电信号。
A. 电阻器、
B. 电容器、
C. 传感器、
D. 晶体管
【单选题】
5半导体发光数码管由___个条状的发光二极管组成。
A. 5
B. 6
C. 7
D. 8
【单选题】
6“有0出1,全1出0”属于___
A. 与逻辑
B. 或逻辑
C. 非逻辑
D. 与非逻辑
【单选题】
7二进制数11101转化成十进制数为___
A. 29
B. 57
C. 4
D. 15
【单选题】
8TTL系列集成芯片工作电源电压的典型值是___。
A. 18V
B. 5V
C. 3V
D. 10V
【单选题】
9能实现Y=0的电路是___图。
A. 图
B. 图
C. 图
D. 图
【单选题】
10以下表达式中符合逻辑运算法则的是___。
A. 1+1=10
B. A+A=2A
C. A+=1.
D. A·=1
【单选题】
11对于TTL与非门闲置输入端的处理,不可以___
A. 与有用输入端并联
B. 通过电阻3kΩ接电源
C. 接地
D. 接电源
【单选题】
12十线/四线优先编码器74LS147所用的输出代码为___。
A. 5421BCD码
B. 格雷码
C. 8421BCD码
D. 余3码
【单选题】
13为实现“线与”逻辑功能,应选用___
A. OC门
B. 与门
C. 异或门
D. 同或门
【单选题】
14和逻辑式A+ABC相等的式子是___
A. c
B. bc
C. abc
D. a
【单选题】
15逻辑函数的表示方法中具有唯一性的是___
A. 真值表
B. 表达式
C. 逻辑图
D. 卡诺图
【单选题】
16与模拟电路相比,数字电路主要的优点是___。
A. 容易设计
B. 通用性强
C. 抗干扰能力强
【单选题】
17某门电路的输入输出波形如图所示,试问此逻辑门的功能是___。
A. 与非
B. 或非
C. 异或
D. 同或
【单选题】
18以下电路中常用于总线应用的有___。
A. TSL门
B. OC门
C. 漏极开路门
D. CMOS与非门
【单选题】
逻辑表达式Y=AB可以用___实现。
A. 正或门
B. 正非门
C. 正与门
D. 负或门
【单选题】
20TTL电路在正逻辑系统中,以下各种输入中___相当于输入逻辑“0”。
A. 悬空
B. 通过电阻2.7kΩ接电源
C. 通过电阻2.7kΩ接地
D. 通过电阻510Ω接地
【单选题】
21对于TTL与非门闲置输入端的处理,不可以___。
A. 接电源
B. 通过电阻3kΩ接电源
C. 接地
D. 与有用输入端并联
【单选题】
22STTL数字集成电路与CMO数字集成电路相比突出的优点是___。
A. 微功耗
B. 高速度
C. 高抗干扰能力
D. 电源范围宽
【单选题】
23以下式子中正确的是___
A. 1+A=A
B. A+A=1
C. A•A=1
D. A+AB=A
【单选题】
在一个四变量逻辑函数中,___为最小项。
A.
B.
C.
D.
【单选题】
A+BC=___。
A. A+B
B. A+C
C. (A+B)(A+C)
D. B+C
【单选题】
26以下代码中为无权码的为___。
A. 5421BCD码
B. 8421BCD码
C. 余三码
【单选题】
一位十六进制数可以用___位二进制数来表示。
A. 4
B. 2
C. 1
D. 16
推荐试题
【单选题】
井底压力由一种或多种压力构成的一个合力。因此,任何一个或多个引起井底压力降低的因素,都有可能最终导致___。
A. 井侵发生
B. 井涌发生
C. 流发生
D. 井喷发生
【单选题】
修井液罐液面上升是溢流的___。
A. 间接显示
B. 直接显示
C. 可能显示
D. 理论上不是溢流显示
【单选题】
停泵后井口修井液外溢是溢流的___。
A. 间接显示
B. 直接显示
C. 可能显示
D. 理论上不是溢流显示
【单选题】
停止循环后,井口修井液外溢应注意井筒中管柱内外修井液密度不一致,管柱内修井液密度比环空修井液密度高时,停泵修井液___。
A. 不外溢
B. 理论上不外溢
C. 会外溢
D. 一般不会外溢
【单选题】
天然气临近井口时因压力降低而快速膨胀,使出口管线内的修井液流速___。
A. 不变
B. 减小
C. 增加
D. 理论上不增加
【单选题】
井内发生溢流后,若侵入流体密度小于修井液密度,管柱内液柱压力就会大于环空液柱压力,由于“U”形管效应使泵压___。
A. 上升
B. 不变
C. 下降
D. 理论应上升
【单选题】
地层流体进入井内其密度小于修井液密度悬重___,其密度大于修井液密度则悬重减小。
A. 增加
B. 不变
C. 下降
D. 理论上不降
【单选题】
地层流体进入井内其密度小于修井液密度悬重增加,其密度大于修井液密度则悬重___。
A. 上升
B. 不变
C. 下降
D. 理论上不降
【单选题】
在作业过程中,硫化氢进入井内,如果井内是修井液有一定的粘度,则:___。
A. 粘度上升
B. 密度上升
C. 粘度不变
D. 粘度下降
【单选题】
溢流发现越早,关井时进入井筒的地层流体越少,关井套压就___。
A. 越低
B. 越高
C. 不变
D. 越很高
【单选题】
尽可能早地发现溢流显示,并迅速控制井口,是做好___的关键环节。
A. 一级井控
B. 二级井控
C. 三级井控
D. 压井工作
【单选题】
由于气侵导致的溢流,若不及时关井、仍循环观察,关井后的油管(立管)压力就有可能包含___。
A. 泡点压力
B. 地饱压力
C. 圈闭压力
D. 基岩压力
【单选题】
在开井静止状态,油气活跃的井,要注意井内流体长期静止时,地层中气体的扩散效应对井内流体密度影响,最终有可能影响___。
A. 地饱压差
B. 井底压差
C. 流动压力
D. 井底压力
【单选题】
产生圈闭压力的原因主要是___、关井后天然气溢流滑脱上升。
A. 停泵前关井
B. 泵排量太大
C. 停泵后关井
D. 关井后天然气膨胀
【单选题】
如没及时有效除气,让气侵井液重新泵入井内,而且继续受到进一步气侵,则___,终将会失去平衡,导致井喷。
A. 井底液柱压力不发生变化
B. 井底液柱压力将不断下降
C. 井底压力将不断上升
D. 井底液柱压力将不断上升
【单选题】
向井内泵入适当密度的液体,使液柱压力平衡地层压力,阻止地层流体继续进入井筒,恢复或重建井内压力平衡的工艺,称为___。
A. 修井
B. 压井
C. 冲砂
D. 清蜡
【单选题】
压井中途一般不宜停泵,出口要适当控制排量,做到压井液既不漏又不被___。
A. 水侵
B. 气侵
C. 钙侵
D. 盐水侵
【单选题】
___提供的正确与否是正确选择压井液密度的关键。
A. 地层压力
B. 液柱压力
C. 井底压力
D. 井口压力
【单选题】
压井过程中始终保持___不变,控制地层流体不再进入井内。
A. 液柱压力
B. 地层压力
C. 井底压力
D. 井口压力
【单选题】
当溢流为天然气时,在压井过程中,套压达到最大时,作用于井底的压力___。
A. 达到最大
B. 达到最小
C. 不发生变化
D. 为零
【单选题】
在压井过程中,泵排量始终保持为压井排量,其目的是___。
A. 加快压井速度
B. 保持井底压力不变
C. 减小立压
D. 减小套压
【单选题】
发现溢流迅速关井的优点之一,是保持井内有较多的修井液,减小关井和压井时___压力值。
A. 地层
B. 立管
C. 井底压力
D. 波动
【单选题】
某井油层中部深度2000m,测得地层静压30MPa,若附加量取15%,则应选用相对密度为___g/cm3的压井液。
A. 1.33
B. 1.56
C. 1.68
D. 1.95
【单选题】
正循环压井中,当压井液到达压井管柱底部时,停稳泵关井,此时关井油管压力大于零,说明了___。
A. 压井排量偏低
B. 压井泵压偏低
C. 压井液粘度偏低
D. 压井液密度偏低
【单选题】
某修井队用密度1.20g/cm3的泥浆加深修井到井深2000m处发生溢流,关井套压3MPa,关井油压2MPa,压井液附加压力4MPa,计算压井泥浆密度___g/cm3。
A. 1.62
B. 1.72
C. 1.82
D. 1.92
【单选题】
某井用密度1.50g/cm3的泥浆钻到井深5000m处发生溢流,关井立、套压分别为2MPa和3.7MPa,溢流量1.8m3,环空平均单位容积12L/m,判断溢流种类是___。
A. 油
B. 气
C. 水
D. 油水混合物
【单选题】
某位于井深3400m处的产层压力梯度为17.65KPa/m,计算该产层压力是___MPa。
A. 50
B. 55
C. 60
D. 65
【单选题】
井下作业压井液密度应根据地质设计提供的___当量密度值为基准。
A. 最高地层孔隙压力
B. 地层破裂压力
C. 地层漏失压力
D. 上覆岩层压力
【单选题】
井下作业设计压井液对于地层硫化氢含量大于___g/m3的井应储备压井液或加重材料。
A. 30
B. 50
C. 70
D. 105
【单选题】
压井液密度具体选择附加值时应综合考虑下列___选项。①地层压力②液柱压力③地层破裂压力④地层流体中有毒有害气体的含量
A. ①②③④
B. ①③④
C. ②③④
D. ①②④
【单选题】
压井液性能被破坏的主要原因是“四侵”,即___。
A. Fe3+侵、水泥侵、泥浆侵、淡水侵
B. 硫化氢侵、Fe2+侵、盐水钙侵、水泥侵
C. 水侵、气侵、钙侵、盐水侵
D. 氮气侵、Fe3+侵、Mg2+侵、CA2+侵
【单选题】
无论是司钻法还是工程师法压井应遵循的原则是:始终保持___不变,并且满足稍大于或等于地层压力。
A. 井底压力
B. 液柱压力
C. 井口压力
D. 泵压
【单选题】
循环法是将密度___的压井液用泵泵入井内并进行循环,密度较小的原压井液(或油、气及水)被压井用的压井液替出井筒达到压井目的的方法。
A. 高
B. 合适
C. 低
D. 任意
【单选题】
挤注法压井的液体注入深度,应控制在油层顶部以上___m处。
A. 5
B. 15
C. 30
D. 50
【单选题】
循环法压井的关键是确定压井液的密度和控制适当的___。
A. 泵压
B. 立压
C. 回压
D. 排量
【单选题】
若重复压井,必须将前次压井液排净,排除量应大于井筒容积的___倍。
A. 1-2
B. 1.5-2
C. 2-3
D. 1.2-1.5
【单选题】
由于环形空间内受气侵的压井液密度低于管柱内压井液密度,通常关井套压___油管压力。
A. 大于
B. 小于
C. 等于
D. 平衡
【单选题】
在压力高、气油比大的油气井中压井应采用___法。
A. 灌注
B. 挤注法
C. 反循环
D. 正循环
【单选题】
气井和高压、高油气比井的共同特点是井口___。
A. 压力高、气量大
B. 压力低、气量大
C. 压力高、气量低
D. 压力低、气量低
【单选题】
初始循环压力是指压井修井液___的立管压力。
A. 刚开始泵入钻柱时
B. 进入钻柱过程中
C. 进入环空过程中
D. 返到地面时