【单选题】
龋第一位好发牙面为___
A. 唇颊面
B. 舌腭面
C. 近中面
D. 远中面
E. 咬合面
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答案
E
解析
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相关试题
【单选题】
关于静止龋,错我的说法是___
A. 属于急性龋的一种
B. 其本质是继发龋
C. 是由于治疗时未将病变组织去净而发生的
D. 是由于机体抵抗力增加而导致的
E. 以上选项都可以
【单选题】
浅龋和釉质发育不全的鉴别要点除外___
A. 探诊软硬度
B. 探诊光滑度
C. 病变牙位是否对称
D. 病变牙位的多少
E. 对冷热刺激反应情况
【单选题】
浅龋与氟斑牙相鉴别的重要参考因素是___
A. 牙齿的颜色改变
B. 有无牙体组织缺损
C. 病变牙位的多少
D. 地区流行情况
E. 对温度反应情况
【单选题】
急性龋的临床表现为___
A. 多见于老年人
B. 病变进展较平稳
C. 龋洞内腐质湿软
D. 龋坏牙本质着色深
E. 进展与全身情况无关
【单选题】
临床记录中,近中面以英文字母命名___
A. M
B. B
C. 0
D. La
E. D
【单选题】
恒牙列中患龋最多的是___
A. 上颌第一前磨牙
B. 上颌第二前磨牙
C. 下颌第一前磨牙
D. 下颌第二磨牙
E. 下颌第一磨牙
【单选题】
邻面浅龋的最常使用的常规诊断方法是___
A. X线片检查
B. 探诊检查
C. 视诊
D. 荧光显示法
E. 冷热诊
【单选题】
温度刺激入洞出现疼痛,但刺激去除后疼痛立即消失,可能为___
A. 深龋
B. 牙髓坏死
C. 可复性牙髓炎
D. 牙髓钙化
E. 急性牙髓炎
【单选题】
女性,26岁,左下后牙遇冷水痛3周,平时无不适;查左下第一怛磨牙咬合面龋洞深,叩痛(-),冷水入洞痛,冷测结果同对照牙。该患牙诊断是___
A. 浅龋
B. 深龋
C. 慢性牙髓炎
D. 急性牙髓炎
E. 可复性牙髓炎
【单选题】
患者,女,40岁,右下后牙遇冷不适,无自发疼,1年前患者曾一次补牙,检查:右下7(牙合)面树脂充填物边缘破裂。可钩住探针叩(-),冷(+),刺激后疼痛立刻消失。最可能的诊断是___
A. 浅龋
B. 深龋
C. 继发龋
D. 急性牙髓炎
E. 慢性牙髓炎
【单选题】
26岁,左下后牙龋洞,无明显自发疼痛,食物嵌入时疼。检查:左下6(牙合)面龋坏,软化牙本质较多,叩(-),冷测敏感,电活力正常。去除无基釉后去腐敏感,不能全部去净。患牙可能的诊断是___
A. 中龋
B. 深龋
C. 继发龋
D. 慢性牙髓炎
E. 急性牙髓炎
【单选题】
猛性龋常发生的人群是___
A. 头颈部放疗患者
B. 牙齿敏感的的患者
C. 釉质发育不全患者
D. 氟牙症患者
E. 有严重牙周病的患者
【单选题】
龋病的临床特点是___
A. 发生于牙硬组织的逆行性疾病
B. 表现为无机物脱矿和龋洞形成
C. 破坏主要发生在牙本质,牙骨质
D. 牙硬组织色形质均发生变化
E. 龋洞形成早期患牙有一定自身修复能力
【单选题】
龋病的临床特征是___
A. 牙硬组织色、性、质改变
B. 进食酸甜食物患牙疼痛
C. 患牙夜间痛严重
D. 患牙间歇性自发疼痛
E. 疼痛不能定位
【单选题】
深龋的治疗原则不包括___
A. 去除龋坏组织,消除感染
B. 术中保护牙髓,减少对牙髓的刺激
C. 正确判断牙髓状况
D. 根据患牙牙髓是否充血和软龋能否去净采用不同的治疗方法
E. 不用彻底去除软化牙本质
【单选题】
以下关于银汞合金的备洞要求,不恰当的说法是___
A. 需做成盒形洞
B. 有一定固位形
C. 洞缘曲线圆钝
D. 点线角锐利
E. 去除无机釉
【单选题】
右上第一磨牙龋损窝洞制备时,鸠尾峡宽度一般为___
A. 颊舌牙尖间距的1/4
B. 颊舌牙尖间距的1/4~1/3
C. 颊舌牙尖间距的1/3~1/2
D. 颊舌牙尖间距的1/2~2/3
E. 颊舌牙尖间距的1/3~3/4
【单选题】
根据G.V.Black分类法,临床上Ⅲ类指的是___
A. 所有牙面发育点裂隙沟的龋损所备成的窝洞
B. 发生于后牙邻面的龋损所备成的窝洞
C. 前牙邻面未累及切角的龋损所备成的窝洞
D. 为发生于所有牙齿近龈2/3牙面的龋损所制备的窝洞
E. 前牙邻面累及切角的龋损所备成的窝洞
【单选题】
制备倒凹的目的主要是___
A. 有利于充填
B. 有利于垫底
C. 有利于放置盖髓剂
D. 有利于获得良好的固位形
E. 以上均是
【单选题】
以下有关复合树脂的论述中,不恰当的是___
A. 无机填料是决定复合树脂物理性能和临床应用的关键成分
B. 树脂基质是复合树脂的主要聚合成分
C. 最常用的树脂基质是丙烯酸酯类
D. 床上每层充填和固化的材料厚度不超过2mm
E. 化学固化复合树脂为目前主要的复合树脂
【单选题】
能够影响银汞合金性能的因素是___
A. 汞与合金粉的比例
B. 水分是否进入银汞合金
C. 充填压力的速度
D. 研磨时间的长短
E. 以上说法均正确
【单选题】
以下有关氢氧化钙制剂的论述中,恰当的是___
A. 对牙髓的刺激性小
B. 可促进修复性牙本质的生成
C. 有一定的抗菌、抗炎性能
D. 溶解度是垫底材料中最大者
E. 以上选项均是
【单选题】
以下有关聚羧酸锌粘固剂的论述中,不恰当的是___
A. 对釉质和牙本质都有较大的黏着力
B. 对牙髓刺激小
C. 可作为垫底材料
D. 聚羧酸锌粘固剂在唾液中的溶解度大于磷酸锌粘固剂
E. 对牙髓的刺激性较大
【单选题】
以下有关磷酸锌粘固剂的论述中,恰当的是___
A. 对牙髓有一定的刺激
B. 可作为垫底材料
C. 可用于粘固嵌体、桥、冠
D. 深龋洞不可直接用磷酸锌粘固粉垫底
E. 以上选项均是
【单选题】
以下有关双层垫底的叙述中,不恰当的是___
A. 洞深接近牙髓,需做双层垫底
B. 氧化锌丁香油粘固粉是理想的第一层垫底材料
C. 氧化锌丁香油粘固粉用作暂封时,宜较稀以延长固化时间
D. 氧化锌丁香油粘固粉抗压强度弱,不能承受咀嚼压力
E. 磷酸锌粘固粉可用作第二层垫底材料
【单选题】
以下有关复合树脂充填后脱落的原因中除外的一项是___
A. 制备了固位形
B. 牙面未进行酸蚀
C. 充填体过薄
D. 未制备洞斜面
E. 酸蚀后的牙面接触唾液
【单选题】
以下属于中龋临床表现的是___
A. 遭受外界的物理化学刺激反应强烈
B. 已有龋洞,龋损的前沿位于牙本质的浅层
C. 已有龋洞,进食冷、热或酸、甜食品疼自发疼
D. 已有齲洞,进食冷、热或酸、甜食品疼放射疼
E. 已有龋洞,进食冷、热或酸、甜食品疼夜间疼
【单选题】
男20岁右下第一前摩牙中龋深近髓,无自发痛。冷测反应同对照牙,叩痛(-)。治疗方法是___
A. 安抚治疗
B. 垫底充填
C. 活髓切断
D. 干髓治疗
E. 药物治疗
【单选题】
患者,男。26岁,左下后牙龋洞,无明显自发疼痛,食物嵌入时疼。检查:左下6(牙合)面龋坏,软化牙本质较多,叩(-),冷测敏感,电活力正常。去除无基釉后去腐敏感,不能全部去净。患牙可能的诊断是___
A. 中龋
B. 深龋
C. 继发龋
D. 慢性牙髓炎
E. 急性牙髓炎
【单选题】
深龋该牙的初诊治疗是___
A. 垫底充填
B. 安抚治疗
C. 间接盖髓一垫底充填
D. 干髓治疗
E. 双层垫底后充填
【单选题】
充填时垫底材料选用___
A. 磷酸锌黏固粉单层
B. 聚羧酸锌黏固粉单层
C. 玻璃离子黏固粉单层
D. 氧化锌丁香油黏固粉和磷酸锌黏固粉双层
E. 氧化锌丁香油粘固粉
【单选题】
龋病的药物治疗适用于___
A. 静止龋
B. 猖獗龋
C. 牙本质浅龋
D. 未成洞的浅龋
E. 奶瓶龋
【单选题】
目前效果肯定,易于推广应用的防龋方法是___
A. 电动牙刷刷牙
B. 酶防龋
C. 防龋涂料防龋
D. 氟化物防龋
E. 糖代用品防龋
【单选题】
治疗年轻恒牙的操作中不妥当的是___
A. 考虑年轻恒牙的形态、组织结构和生理特点
B. 挖匙去除深部软化牙本质,避免不必要的露髓
C. 用龋蚀显示液
D. 选用对牙髓无刺激的材料垫底
E. 以上选项都不是
【单选题】
布莱克分类窝洞考虑的充填材料是图___
A. 聚羧酸锌水门汀
B. 银汞合金
C. 复合树脂
D. 磷酸锌水门汀
E. 玻璃离子水门汀
【单选题】
Ⅱ类洞型咬合面鸠尾形设计的根据是___
A. 邻面龋的深浅
B. 邻面洞的位置
C. 邻面龋的牙体
D. 邻面龋的时间
E. 邻面洞的大小
【单选题】
畸形中央尖最常见于___
A. 下颌第一双尖牙
B. 下颌第二双尖牙
C. 上颌第一双尖牙
D. 上颌第二双尖牙
E. 下颌第二磨牙
【单选题】
遗传性乳光牙本质的临床表现如下,除外___
A. 仅发生在前牙列
B. 光照下呈现乳光
C. 牙釉质易剥脱,牙本质暴露
D. 牙冠易咀嚼磨损
E. X线片可见髓室和根管闭锁
【单选题】
下列哪个时期生活在高氟区,可造成氟牙症发生___
A. 0~7岁
B. 6~12岁
C. 16~22岁
D. 23~30岁
E. 31岁以后
【单选题】
有关釉质发育不全描述不正确的是___
A. 釉质的发育矿化障碍
B. 受局部和全身因素影响
C. 永久性的缺陷
D. 与遗传因素无关
E. 牙发育过程中发生的
推荐试题
【单选题】
ZP.Y2-18型移频自动闭塞区间电源屏应提供48V±1V的稳定电压,杂音电压应小于_______。[321010104]___
A. 90mV
B. 95mV
C. 100mV
D. 120mV
【单选题】
移频发送盒分频器采用了四级分频,经四级分频器后输出信号的频率仅为输入信号频率的_______。[311010104]___
A. 1/2
B. 1/4
C. 1/8
D. 1/16
【单选题】
移频电源盒的稳压电源,杂音电压不大于_______。[321010104]___
A. 100mV
B. 150mV
C. 200mV
D. 300mV
【单选题】
UM71型无绝缘轨道电路自动闭塞,电源电压范围在直流_______时应可靠工作。[311010102]___
A. 24V
B. 28V
C. 30V
D. 38V
【单选题】
UM71型无绝缘轨道电路自动闭塞,SVA空芯线圈的电阻量应为_______。[331010103]___
A. 18.5mΩ±5.5mΩ
B. 20.5mΩ±7.5mΩ
C. 25.5mΩ±8.5mΩ
D. 30.0mΩ±9.5mΩ
【单选题】
ZPW-2000A型无绝缘移频轨道电路自动闭塞,室内各种配线应采用_______。[311030203]___
A. 阻燃线
B. 通信电缆
C. 信号电缆
D. 阻燃屏蔽线
【单选题】
ZPW-2000A型无绝缘移频轨道电路自动闭塞,室内电线、电缆布线禁止出现_______。[311030203]___
A. 一字状
B. 环状
C. 十字状
D. 交叉状
【单选题】
ZPW-2000A型无绝缘移频轨道电路自动闭塞,各种配线_______。[313030203]___
A. 不得有中间接头可以有绝缘破损现象
B. 不得有绝缘破损现象可以有中间接头
C. 不得有中间接头和绝缘破损现象
D. 可以有中间接头和绝缘破损现象
【单选题】
ZPW-2000A型无绝缘移频轨道电路自动闭塞,室内各种配线、与数据通信线共槽的线缆均应采用_______。[311030203]___
A. 阻燃线
B. 通信电缆
C. 信号电缆
D. 阻燃屏蔽线
【单选题】
ZPW-2000R型无绝缘移频轨道电路自动闭塞,电源电压在_______的范围内应可靠工作。[311010101]___
A. 40V±1V
B. 48V±1V
C. 53V±1V
D. 55V±2V
【单选题】
ZPW-2000R型无绝缘移频轨道电路自动闭塞,信号机械室内部的各种配线全部采用_______。[311030203]___
A. 阻燃线
B. 通信电缆
C. 信号电缆
D. 阻燃屏蔽线
【单选题】
ZPW-2000R型无绝缘移频轨道电路自动闭塞,信号机械室内部的各种配线,与数据通信线共槽的线缆均应采用_______。[311030203]___
A. 阻燃线
B. 通信电缆
C. 信号电缆
D. 阻燃屏蔽线
【单选题】
非电气化区段微机交流计数电码自动闭塞设备与电气化区段设备相比,无_______。[322010203]___
A. 分频器
B. 滤波器
C. 干扰抑制器
D. 分频器,滤波器,干扰抑制器
【单选题】
电气化区段微机交流计数电码自动闭塞设备,在交流电源为正弦波,电压波动范围在_______下应可靠工作。[331010101]___
A. 不大于220V±33V
B. 不小于220V±33V
C. 不大于240V±40V
D. 不小于240V±40V
【单选题】
电气化区段微机交流计数电码自动闭塞设备,在交流电源为正弦波,频率范围在_______下应可靠工作。[331010101]___
A. 50Hz±1Hz
B. 70Hz±1Hz
C. 75Hz±1Hz
D. 85Hz±1Hz
【单选题】
电气化区段微机交流计数电码自动闭塞设备,不平衡电流_______。[322010101]___
A. 不大于25A
B. 不小于25A
C. 不大于50A
D. 不小于50A
【单选题】
电气化区段微机交流计数电码自动闭塞设备,发码器U3的6脚应为2kHz±0.5kHz方波,幅值_______。[311010103]___
A. 不大于4V
B. 不小于4V
C. 不大于8V
D. 不小于8V
【单选题】
ZPW-2000A型无绝缘移频自动闭塞在收到11.4Hz电码后,控制信号机点_______灯。[311010201]___
A. HU
B. H
C. U
D. L
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘移频自动闭塞系统发送器共采用_______CPU同时工作。[321010103]___
A. 1组
B. 2组
C. 3组
D. 4组
【单选题】
非电气化区段4信息移频轨道电路用0.06Ω标准分路电阻线在轨道电路不利处所分路时,接收设备的限入残压不大于_______。[333010101]___
A. 0.1V
B. 0.5V
C. 5V
D. 6.2V
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘移频自动闭塞系统主轨道调谐区分路死区不大于_______。[311010103]___
A. 5m
B. 8m
C. 9m
D. 11m
【单选题】
ZPW-2000A型轨道电路的发送器负载为400Ω时,其输出功率_______。[321010103]___
A. 120W
B. 100W
C. 90W
D. 70W
【单选题】
ZPW-2000A型轨道电路的发送器低频频偏为_______。[331010103]___
A. ±7Hz
B. ±9Hz
C. ±11Hz
D. ±13Hz
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘移频自动闭塞系统补偿电容引接线与钢轨要可靠连接,塞钉与钢轨间电压降应小于_______。[311010101]___
A. 5mV
B. 9mV
C. 15mV
D. 20mV
【单选题】
ZPW-2000A设备系统防雷室外防雷地线电阻要严格控制在_______以内。[323010103]___
A. 10Ω
B. 15Ω
C. 20Ω
D. 25Ω
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路,当长度超过_______时,主轨道需要加装补偿电容进行补偿。[323010103]___
A. 200m
B. 300m
C. 400m
D. 500m
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路分路状态在最不利条件下,主轨道任意一点采用0.15Ω标准分路线分路时,“轨出1”分路电压应不大于_______,轨道继电器可靠落下,在调谐区内分路时轨道电路存在死区段。[323010101]___
A. 110mV
B. 120mV
C. 130mV
D. 140mV
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路应能实现全程断轨检查,主轨道断轨时,“轨出1”电压不大于_______,轨道继电器可靠落下。[322010101]___
A. 110mV
B. 120mV
C. 130mV
D. 140mV
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路应能实现全程断轨检查,小轨道断轨时, “轨出2”电压不大于_______,轨道继电器可靠落下。[323010101]___
A. 43mV
B. 53mV
C. 63mV
D. 73mV
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路分路状态在最不利条件下,在1700Hz轨道电路区段任意一处用0.15Ω标准分路线分路,短路电流不小于_______。[322010101]___
A. 400mA
B. 500mA
C. 600mA
D. 700mA
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路分路状态在最不利条件下,在2000Hz轨道电路区段任意一处用0.15Ω标准分路线分路,短路电流不小于_______。[322010101]___
A. 400mA
B. 500mA
C. 600mA
D. 700mA
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路分路状态在最不利条件下,在2300Hz轨道电路区段任意一处用0.15Ω标准分路线分路,短路电流不小于_______。[322010101]___
A. 400mA
B. 500mA
C. 600mA
D. 700mA
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路分路状态在最不利条件下,在2600Hz轨道电路区段任意一处用0.15Ω标准分路线分路,短路电流不小于_______。[322010101]___
A. 450mA
B. 550mA
C. 650mA
D. 700mA
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路防护盒边缘距钢轨内侧不得小于_______。[312030205]___
A. 1300mm
B. 1400mm
C. 1500mm
D. 1600mm
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路补偿电容参数在1700Hz区段的指标及范围是_______。[322010103]___
A. 40uF±2.0uF
B. 46uF±2.3uF
C. 50uF±2.5uF
D. 55uF±2.75uF
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路补偿电容参数在2000Hz区段的指标及范围是_______。[322010103]___
A. 40uF±2.0uF
B. 46uF±2.3uF
C. 50uF±2.5uF
D. 55uF±2.75uF
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路补偿电容参数在2300Hz区段的指标及范围是_______。[322010103]___
A. 40uF±2.0uF
B. 46uF±2.3uF
C. 50uF±2.5uF
D. 55uF±2.75uF
【单选题】
ZPW-2000A无绝缘轨道电路补偿电容参数在2600Hz区段的指标及范围是_______。[322010103]___
A. 40uF±2.0uF
B. 46uF±2.3uF
C. 50uF±2.5uF
D. 55uF±2.75uF
【单选题】
ZPW-2000A型轨道电路电缆芯线全程对地绝缘大于_______。[312010103]___
A. 1MΩ
B. 2MΩ
C. 3MΩ
D. 4MΩ
【单选题】
ZPW-2000R型无绝缘轨道电路在调整状态最不利条件下,主接入电压不小于_______。[312010101]___
A. 230mV
B. 240mV
C. 250mV
D. 260mV