中国对资本主义工商业进行社会主义改造的过程中,在利润分配上采取的政策是___。P55_答案

【单选题】

中国对资本主义工商业进行社会主义改造的过程中,在利润分配上采取的政策是___。P55

A. 统筹兼顾

B. 劳资两利

C. 公私兼顾

D. 四马分肥

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【单选题】

中国历史上长达数千年的阶级剥削制度的结束和社会主义基本制度确立的标志是___。P59

A. 新中国的成立

B. 中国大陆的解放和统一

C. 土地改革的完成

D. 三大改造的基本完成

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【单选题】

党在过渡时期的总路线是__。P47

A. 无产阶级领导的、人民大众的，反对帝国主义、封建主义、官僚资本主义的革命

B. 在一个相当长的时期内，逐步实现国家的社会主义工业化，并逐步实现国家对农业、手工业和资本主义工商业的社会主义改造

C. 鼓足干劲，力争上游，多快好省地建设社会主义

D. 以经济建设为中心，坚持四项基本原则，坚持改革开放，自力更生，艰苦创业，为把我国建设成为富强民主文明和谐的社会主义现代化国家而奋斗

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【单选题】

贯彻“三个代表”要求，本质在于__。P125

A. 与时俱进

B. 保持党的先进性

C. 实事求是

D. 坚持执政为民

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【单选题】

建设社会主义___，最根本的是要坚持党的领导、人民当家作主和依法治国的有机统一。P136

A. 物质文明

B. 精神文明

C. 政治文明

D. 法治文明

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【单选题】

江泽民同志在十六大报告中，提出贯彻“三个代表”重要思想的根本要求，核心在___。P125

A. 坚持与时俱进

B. 保持党的先进性

C. 坚持执政为民

D. 坚持发展先进生产力

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【单选题】

___将“三个代表”重要思想与马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论一道确立为党必须长期坚持的指导思想，并写入党章。P126

A. 十四大

B. 十五大

C. 十六大

D. 十七大

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【单选题】

实现社会主义现代化和中华民族伟大复兴，是坚持和发展中国特色社会主义的___。P195

A. 总路线

B. 总依据

C. 总布局

D. 总任务

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【单选题】

中国梦，归根到底是___的梦，是中国走向未来的鲜明指引。P198

A. 国家

B. 民族

C. 人民

D. 中国共产党

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【单选题】

中国梦的最大特点，就是___。P198

A. 把中国和世界作为一个命运共同体

B. 把国家、民族和个人作为一个命运共同体

C. 把中华民族的昨天、今天和明天作为一个命运共同体

D. 把中国的目标和实现途径作为一个命运共同体

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【单选题】

党的十九大报告明确指出，从2020年到本世纪中叶可以分两个阶段来安排。第一个阶段的奋斗目标是__。P203

A. 实现共同富裕

B. 全面实现社会主义现代化

C. 基本实现社会主义现代化

D. 实现国家治理体系和治理能力现代化

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【单选题】

党在新时代的强军目标中，对人民军队的建设要求，不包括___。P269

A. 军备先进

B. 听党指挥

C. 能打胜仗

D. 作风优良

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【单选题】

___是人民军队建军之本、强军之魂。P269

A. 作风优良

B. 战斗力

C. 党对军队绝对领导

D. 军民融合

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【单选题】

中国外交政策的宗旨是___。P286

A. 独立自主

B. 维护世界和平，促进共同发展

C. 反对霸权主义和强权政治

D. 加强和巩固同广大发展中国家的团结与合作

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【单选题】

中国政府倡议，共建“一带一路”恪守联合国宪章的宗旨和原则。“一带一路”秉持的原则是___。P294

A. 和平合作、开放包容

B. 共商、共建、共享

C. 共建、共享、共治

D. 互学互鉴、互利共赢

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【单选题】

中国政府倡议，共建“一带一路”恪守联合国宪章的宗旨和原则。“一带一路”秉持的理念是___。P294

A. 共商、共建、共享

B. 不冲突、不对抗、合作共赢

C. 共建、共享、共治

D. 和平合作、开放包容、互学互鉴、互利共赢

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【单选题】

___思想继承和发展了新中国不同时期重大外交思想和主张，反映了全人类共同的价值追求，多次写入联合国文件，对中国、世界的繁荣和进步都具有重大的意义和深远的影响。P292

A. 一带一路

B. 新型全球化方案

C. 人类命运共同体

D. 世界经济复苏方案

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【单选题】

要实现中华民族伟大复兴的中国梦，必须深入推进___新的伟大工程。P302

A. 建成小康社会

B. 依法治国

C. 党的建设

D. 深化改革

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【单选题】

__是改革开放以来党的全部理论和实践的主题，是党和人民历尽千辛万苦、付出巨大代价取得的根本成就。P302

A. 实事求是

B. 马克思列宁主义

C. 中国特色社会主义

D. 党的建设

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【单选题】

以下关于坚持党的领导的论述中，错误的是___。P303－305

A. 党是最高政治领导力量，是推进伟大事业的根本保证

B. 坚持党的领导，并不是说要坚持党对一切工作的领导，但需保证党在关键领域、关键问题上把握好方向

C. 坚持党的领导，是对党领导革命、建设和改革历史经验的深刻总结

D. 坚持党的领导，必须着力加强党的建设

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【判断题】

平衡是指物体处于静止状态。

A. 对

B. 错

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【判断题】

力对物体的作用效果是使物体移动。

A. 对

B. 错

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【判断题】

力的三要素中任何一个因素发生了改变，力的作用效果都会随之改变。

A. 对

B. 错

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【判断题】

刚体平衡的必要与充分条件是作用于刚体上两个力大小相等，方向相反。

A. 对

B. 错

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【判断题】

力可以在物体上任意移动而作用效果不变。

A. 对

B. 错

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【判断题】

合力一定大于分力。

A. 对

B. 错

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【判断题】

力偶对物体的作用效果是转动和移动。

A. 对

B. 错

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【判断题】

只受两个力作用的杆件称为二力杆。

A. 对

B. 错

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【判断题】

材料抵抗变形的能力称为强度。

A. 对

B. 错

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【判断题】

危险截面是指内力最大的截面。

A. 对

B. 错

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【判断题】

材料相同，截面不同的杆件，在相同的外力作用下，截面大的应力大。

A. 对

B. 错

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【判断题】

材料不同，截面相同的杆件，在相同的外力作用下，变形相同。

A. 对

B. 错

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【判断题】

抗拉压刚度越大，杆的抵抗拉压变形的能力越小。

A. 对

B. 错

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【判断题】

材料的收缩率越大，则材料的塑性越差。

A. 对

B. 错

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【判断题】

所有的压杆都必须进行稳定性验算。

A. 对

B. 错

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【判断题】

材料的弹性模量越大，压杆的稳定性越大。

A. 对

B. 错

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【判断题】

压杆的杆端约束程度越强，其稳定性越差．

A. 对

B. 错

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【判断题】

柔度越小，压杆越易失稳。

A. 对

B. 错

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【判断题】

为提高压杆的稳定性，应采用高强度材料。

A. 对

B. 错

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【判断题】

为提高压杆的稳定性，压杆的截面形状采用实心圆比空心圆环好。

A. 对

B. 错

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【判断题】

面积相同的空心轴和实心轴相比，空心轴的抗扭能力大。

A. 对

B. 错

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推荐试题

【单选题】

20在半波整流电容滤波电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。

A. U0=0.45U2

B. U0=1.2U2

C. U0=0.9U2

D. U0=1.4U2

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【单选题】

21在半波整流电路中，设U2为其输入电压，输出电压的平均值约为___。

A. U0=0.45U2

B. U0=1.2U2

C. U0=0.9U2

D. U0=1.4U2

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【单选题】

22温度影响了放大电路中的___，从而使静态工作点不稳定。

A. 电阻；

B. 电容；

C. 三极管；

D. 电源。

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【单选题】

23用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是___。

A. [B、C、E]

B. [C、B、E]

C. [E、C、B]

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【单选题】

24共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为___

A. 饱和失真

B. 截止失真

C. 交越失真

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【单选题】

25三极管的反向电流ICBO是由___组成的。

A. 多数载流子

B. 少数载流子

C. 多数载流子和少数载流子

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【单选题】

27如果在NPN型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为___

A. 放大状态；

B. 截止状态；

C. 饱和状态；

D. 不能确定。

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【单选题】

28在以下三种电路中输入电阻最大的电路是___。

A. 共基放大电路

B. 共集放大电路

C. 共射放大电路

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【单选题】

29在以下三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是___。

A. 共基放大电路

B. 共集放大电路

C. 共射放大电路

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【单选题】

30在以下三种电路中输出电阻最小的电路是___；

A. 共基放大电路

B. 共集放大电路

C. 共射放大电路

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【单选题】

当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC ___uB。

A. >

B. <

C. =

D. ≤

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【单选题】

32当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uB___uE 。

A. >

B. <

C. =

D. ≤

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【单选题】

33测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为，，，说明此三极管处在___。

A. 放大区

B. 饱和区

C. 截止区

D. 反向击穿区

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【单选题】

34若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是___。

A. 发射结正偏、集电结正偏

B. 发射结反偏、集电结反偏

C. 发射结正偏、集电结反偏

D. 发射结反偏、集电结正偏

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【单选题】

35在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。这种失真是___ 。

A. 饱和失真

B. 截止失真

C. 交越失真

D. 频率失真

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【单选题】

36在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真。这种失真是___ 。

A. 饱和失真

B. 截止失真

C. 交越失真

D. 频率失真

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【单选题】

37共集电极放大电路中Re的负反馈组态是___。

A. 电压串联负反馈

B. 电流串联负反馈

C. 电压并联负反馈

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【单选题】

38为了使放大器带负载能力强，一般引入___负反馈。

A. 电压

B. 电流

C. 串联

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【单选题】

41为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用___负反馈 i=i1+i2

A. 电流

B. 电压

C. 并联

D. 串联

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【单选题】

42为了稳定输出电流，采用___负反馈。

A. 电流

B. 电压

C. 并联

D. 串联

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【单选题】

43为了改善放大器的动态性能，应该引入___电路。

A. 直流负反馈

B. 交流负反馈

C. 电压负反馈

D. 电流负反馈

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【单选题】

44为了稳定放大器的静态工作点，应该引入___电路。

A. 直流负反馈

B. 交流负反馈

C. 电压负反馈

D. 电流负反馈

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【单选题】

45共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路___能力。

A. 放大差模抑制共模

B. 输入电阻高

C. 输出电阻低

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【单选题】

46差分放大电路是为了___而设置的。

A. 稳定Au

B. 放大信号

C. 抑制零点漂移

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【单选题】

47分析运放的“虚短”是指是___。

A. U-≈U+

B. I-≈I+≈0

C. U0=Ui

D. U-≈U+≈0

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【单选题】

48分析运放的“虚断”是指是___。

A. U-≈U+

B. I-≈I+≈0

C. I-≈I+

D. U-≈U+≈0

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【单选题】

51两级放大电路，Au1=-40，Au2=-50，若输入电压U1=5mv，则输出电压Uo为 ___

A. -200mv；

B. -250mV；

C. 10V；

D. 100V

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【单选题】

52通用型集成运放的输入级多采用___。

A. 共基接法

B. 共集接法

C. 共射接法

D. 差分接法

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【单选题】

53理想运放的两个重要性质是___。

A. 虚短与虚地

B. 虚断与虚短

C. 断路与短路

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【单选题】

54振荡器的输出信号最初由___而来的。

A. 基本放大器

B. 选频网络

C. 干扰或噪声信号

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【单选题】

55产生正弦波自激震荡的稳定条件是___。

A. 引入正反馈

B. |AF|≥1

C. AF=1

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【单选题】

56从结构上来看，正弦振荡电路是一个 ___ 。

A. 有输入信号的负反馈放大器；

B. 没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器；

C. 没有输入信号的不带选频网络的正反馈放大器。

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【单选题】

57对频率稳定度要求较高的振荡器，要采用： ___ 。

A. LC振荡电路；

B. RC振荡电路；

C. RL振荡电路；

D. 石英晶体振荡电路。

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【单选题】

58在甲类、乙类、甲乙类放大电路中，其导通角分别为___

A. 小于180 O、180 O、360O

B. 360O、180 O、小于180 O。

C. 180 O、小于180 O、360O

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【单选题】

W78XX系和列W79XX系列引脚对应关系为 ___ 。

A. 一致；

B. 1脚与3脚对调，2脚不变；

C. 1、2对调。

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【单选题】

60两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 ___ 。

A. β

B. β2

C. 2β

D. 1+β

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【单选题】

1三极管的开关特性是___。

A. 截止相当于开关接通

B. 放大相当于开关接通

C. 饱和相当于开关接通

D. 截止相当于开关断开，饱和相当于开关接通

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【单选题】

2数字集成门电路，目前生产最多应用最普遍的门电路是___

A. 与门

B. 或门

C. 非门

D. 与非门

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【单选题】

3由一个三极管组成的基本门电路是___。

A. 与门

B. 非门

C. 或门、D异或门

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【单选题】

4在遥测系统中，需通过___把非电量的变化转变为电信号。

A. 电阻器、

B. 电容器、

C. 传感器、

D. 晶体管

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